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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了半导体存储器装置及其自刷新方法，所述方法包括：生成指示半导体存储器装置的温度的温度码；生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志；基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作；生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志；以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作，其中，如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误，则第二刷新周期长于第一刷新周期。
主权项：1.一种半导体存储器装置的自刷新方法，包括：生成指示半导体存储器装置的温度的温度码；生成指示半导体存储器装置的存储器区域中的任何数据错误的第一错误标志；基于温度码和第一错误标志在第一刷新周期内对存储器区域执行第一自刷新操作；生成指示在第一自刷新操作期间存储器区域中的任何数据错误的第二错误标志；以及基于温度码和第二错误标志在第二刷新周期内对存储器区域执行第二自刷新操作，其中，如果第二错误标志指示在第一自刷新操作期间在存储器区域中无数据错误，则第二刷新周期长于第一刷新周期。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器装置及其自刷新方法
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