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申请/专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜方法，包括步骤如下：1形成沟道层；2生长得到GaN外延基片；3利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜。本发明提供了一种利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜方法，通过刻蚀通道，在GaN外延基片的中部形成沟道层，有效解决了现有电化学刻蚀装置进行刻蚀牺牲层时，牺牲层内部反应气体阻塞等问题。并且可以加速衬底和GaN厚膜的分离过程，仅仅通过一步电化学刻蚀就实现大尺寸衬底与GaN厚膜的的快速剥离，不仅提高了剥离速率，更提高了剥离成品率。
主权项：1.一种利用电化学刻蚀快速剥离GaN厚膜方法，其特征在于，包括步骤如下：1在衬底上生长SiGaN，然后在SiGaN上刻蚀若干通道，形成沟道层；2在沟道层上继续依次生长欧姆接触层和GaN厚膜层，得到GaN外延基片；3将稳压直流电源的正极连接至GaN外延基片的欧姆接触层，负极连接至石墨棒，然后将连接后的GaN外延基片和石墨棒放入至装有电解液的容器中，形成一个闭合的回路，打开稳压直流电源，使沟道层在电解液中发生电化学腐蚀以实现GaN厚膜与衬底的快速剥离。
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权利要求：
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