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申请/专利权人:晶元光电股份有限公司
摘要:本发明公开一种半导体光电元件,包括:第一半导体结构;第二半导体结构,位于第一半导体结构上;活性结构,位于第一半导体结构及第二半导体结构之间;第一半导体层,位于第二半导体结构远离活性结构的一侧上;第二半导体层,位于第一半导体层上;第三半导体层,位于第二半导体层上并含有一第一元素;以及多个凹部,沿垂直方向延伸于第一半导体层、第二半导体层、以及第三半导体层中。第一半导体层具有超晶格,而第三半导体层包含多个子层,该些子层中的至少两层的第一元素含量不同。
主权项:1.一种半导体光电元件,包括:第一半导体结构;第二半导体结构,位于该第一半导体结构上;活性结构,位于该第一半导体结构及该第二半导体结构之间;第一半导体层,位于该第二半导体结构远离该活性结构的一侧上;第二半导体层,位于该第一半导体层上;第三半导体层,位于该第二半导体层上,并含有第一元素;以及多个凹部,沿垂直方向延伸于该第一半导体层、该第二半导体层、以及该第三半导体层中;其中,该第一半导体层具有超晶格,该第三半导体层包含多个子层,该些子层中的至少两层的第一元素含量不同。
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百度查询: 晶元光电股份有限公司 半导体光电元件
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