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申请/专利权人：中电海康集团有限公司
摘要：本发明提供一种自旋轨道矩磁性存储器的制备方法，该方法包括：提供一衬底，并在衬底上依次形成自旋轨道预备层和磁性隧道结预备层；在磁性隧道结预备层上形成掩膜层，并对掩膜层进行图形化处理，掩膜层包括：第一掩膜层和第二掩膜层，图形化处理后的第一掩膜层形成为与自旋轨道提供层对应的掩膜图案，图形化处理后的第二掩膜层形成为与磁性隧道结对应的掩膜图案；以第一掩膜层为掩膜，刻蚀自旋轨道预备层和磁性隧道结预备层，以将自旋轨道预备层刻蚀为自旋轨道提供层；以第二掩膜层为掩膜，刻蚀磁性隧道结预备层，以将磁性隧道结预备层刻蚀为磁性隧道结。本发明能够降低自旋轨道矩磁性存储器制备工艺的复杂度以及制备成本。
主权项：1.一种自旋轨道矩磁性存储器的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次形成自旋轨道预备层和磁性隧道结预备层；在所述磁性隧道结预备层上形成掩膜层，并对所述掩膜层进行图形化处理，所述掩膜层包括：第一掩膜层和第二掩膜层，图形化处理后的第一掩膜层形成为与自旋轨道提供层对应的掩膜图案，图形化处理后的第二掩膜层形成为与磁性隧道结对应的掩膜图案；以图形化处理后的所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀所述自旋轨道预备层和所述磁性隧道结预备层，以将所述自旋轨道预备层刻蚀为自旋轨道提供层；以图形化处理后的第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述磁性隧道结预备层，以将所述磁性隧道结预备层刻蚀为磁性隧道结。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中电海康集团有限公司 自旋轨道矩磁性存储器的制备方法
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