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申请/专利权人：深圳市芯联芯电子有限公司
摘要：本发明具体涉及一种抑制驱动电压尖峰的MOSfet管驱动电路，其包括可调式TVS管，可调式TVS管击穿电压可通过外部控制信号进行动态调节；VTTS管阴极连接MOSFET栅极，阳极连接吸收电容一端，另一端连接MOSFET源极；吸收电阻与VTTS管并联连接；还包括吸收电容，吸收电容在MOSFET开通时初始电容为零，通过VTTS管快速钳位开通时刻的栅源尖峰电压，随着吸收电容充电至驱动平台电压，VTTS管根据外部控制信号调整击穿电压，持续抑制高于平台电压的尖峰；吸收电阻与电容用于共同作用吸收驱动尖峰。
主权项：1.抑制驱动电压尖峰的MOSfet管驱动电路，其特征在于，包括可调式TVS管，可调式TVS管击穿电压可通过外部控制信号进行动态调节；VTTS管阴极连接MOSFET栅极，阳极连接吸收电容一端，另一端连接MOSFET源极；吸收电阻与VTTS管并联连接；还包括吸收电容，吸收电容在MOSFET开通时初始电容为零，通过VTTS管快速钳位开通时刻的栅源尖峰电压，随着吸收电容充电至驱动平台电压，VTTS管根据外部控制信号调整击穿电压，持续抑制高于平台电压的尖峰；吸收电阻与电容用于共同作用吸收驱动尖峰。
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