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申请/专利权人：通嘉科技股份有限公司
摘要：本发明公开一种高压元件与侦测电路。该高压元件包含半导体基底、深阱层、场隔绝层、控制栅、第一阱层、及埋藏层。该半导体基底为第一导电型，具有上表面。该深阱层为第二导电型，相反于该第一导电型。该深阱层形成于该上表面。该场隔绝层形成于该深阱层中的该上表面，分隔源主动区及漏主动区。该控制栅形成于该场隔绝层上，作为该高压元件的栅极。该第一阱层为该第二导电型，该源主动区至少部分重叠该第一阱层，该第一阱层延展于该场隔绝层下，至少部分重叠该控制栅。该埋藏层为该第一导电型，埋藏于该半导体基底内，形成于该深阱层的底部，具有夹挤部分位于该控制栅下。该深阱层内可提供导电沟道，从该漏主动区，经该控制栅下，至该第一阱层。
主权项：1.一种高压元件，包含有：半导体基底substrate，为第一导电型，具有上表面；深阱层deepwelllayer，为第二导电型，相反于该第一导电型，该深阱层形成于该上表面；场隔绝层fieldisolationlayer，形成于该深阱层中的该上表面，分隔源主动区sourceactiveregion以及漏主动区drainactiveregion；控制栅，形成于该场隔绝层上，作为该高压元件的栅极；第一阱层firstwelllayer，为该第二导电型，该源主动区至少部分重叠该第一阱层，该第一阱层延展于该场隔绝层下，至少部分重叠该控制栅；以及埋藏层buriedlayer，为该第一导电型，埋藏于该半导体基底内，形成于该深阱层的底部，且具有夹挤部分位于该控制栅下；其中，该深阱层内可提供导电沟道，从该漏主动区，经过该控制栅下，至该第一阱层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 通嘉科技股份有限公司 高压元件与侦测电路
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