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申请/专利权人：广东先导稀材股份有限公司
摘要：本发明涉及半导体化合物材料领域，具体是一种二硫化锗的制备方法。本发明提供的二硫化锗的制备方法，先采用较低的温度使锗粉与液态硫直接化合生成硫化亚锗固体，再升温至硫化亚锗熔点以上，在熔融状态下，微量未反应的硫和锗进一步化合，首先能够得到单一物相硫化亚锗产品。然后采用较低的温度使硫化亚锗粉末与液态硫直接化合生成二硫化锗固体，再升温至硫化亚锗熔点以上进一步化合，最后升温至二硫化锗熔点以上，微量未反应的硫和硫化亚锗进一步化合，即可得到单一物相二硫化锗产品。不仅克服了现有技术中步骤繁琐和对反应器要求苛刻等问题，而且制备的二硫化锗纯度极高，以较低的成本实现了高价值的单一物相二硫化锗的制备。
主权项：1.一种二硫化锗的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1在保护气体氛围下，将锗和硫以300～600℃反应1～6h，升温至700～900℃继续反应1～6h；S2在保护气体氛围下，将步骤S1得到的反应产物和硫以300～500℃反应1～6h，升温至600～800℃继续反应1～6h，升温至800～1100℃再反应1～6h，得到二硫化锗。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广东先导稀材股份有限公司 一种二硫化锗的制备方法
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