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申请/专利权人:南京信息工程大学
摘要:本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED,所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成,所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合,所述吸电子基数量为1~3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理,在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层,有助于提高ITO表面功函数,平衡发光器件的缺陷和功函数,提高发光器件的亮度和外量子效率。
主权项:1.一种用于QLED的自组装单层膜,其特征在于,所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成,所述吸电子基为-CN、-COOMe、-NO2、-C3-nFn,1≤n≤3中的一种或两种组合,所述吸电子基数量为1~3个。
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百度查询: 南京信息工程大学 用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED
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