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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底，衬底内具有隔离结构；于衬底上形成第一晶体管及第二晶体管，第一晶体管及第二晶体管位于隔离结构的两侧；于第一晶体管的上表面及部分隔离结构的上表面形成第一应力层，并于第二晶体管的上表面及部分隔离结构的上表面形成第二应力层，第一应力层的厚度大于第二应力层的厚度。上述半导体结构的制备方法能够在利用应力工程改善一个晶体管性能的情况下，有效避免其对另一个晶体管性能的影响。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底内具有隔离结构；于所述衬底上形成第一晶体管及第二晶体管，所述第一晶体管及所述第二晶体管位于所述隔离结构的两侧；于所述第一晶体管的上表面及部分所述隔离结构的上表面形成第一应力层，并于所述第二晶体管的上表面及部分所述隔离结构的上表面形成第二应力层，所述第一应力层的厚度大于所述第二应力层的厚度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 半导体结构的制备方法及半导体结构
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