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申请/专利权人：无锡芯感智半导体有限公司

摘要：本发明涉及适于多向检测且便于封装的流量传感器芯片的制备方法。包括制作中心热源结构、上游热电堆下层热电偶和下游热电堆下层热电偶；制作上游热电堆上层热电偶和下游热电堆上层热电偶；通过光刻在芯片表面分别形成冷结区通孔和热结区通孔，中心热源结构呈十字型镂空结构；第一上游热电堆测温正电极、第一上游热电堆测温负电极、第二上游热电堆测温正电极、第二上游热电堆测温负电极、第一下游热电堆测温正电极、第一下游热电堆测温负电极、第二下游热电堆测温正电极、第二下游热电堆测温负电极、中心热源加热正电极和中心热源加热负电极呈同一直线排布。克服了流量传感器了封装难度大且无法对多个流入方向的气体进行检测的问题。

主权项：1.适于多向检测且便于封装的流量传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底（1）；在所述衬底（1）表面制作支撑结构层；在所述支撑结构层表面沉积一层多晶硅层，对所述多晶硅层通过磷离子注入和扩散掺杂，形成N型多晶硅半导体层；对所述N型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成中心热源结构（4）、上游热电堆下层热电偶（5a）和下游热电堆下层热电偶（5b）；在光刻图形化后的所述N型多晶硅半导体层上沉积一层第一绝缘层（6a），以进行电绝缘隔离；在所述第一绝缘层（6a）表面沉积一层第二多晶硅，对所述第二多晶硅层通过硼离子注入和扩散掺杂，形成P型多晶硅半导体层，对所述P型多晶硅半导体层通过光刻图形化，形成上游热电堆上层热电偶（7a）和下游热电堆上层热电偶（7b）；在光刻图形化后的所述P型多晶硅半导体层上制作一层第二绝缘层（6b）进行电绝缘隔离；通过光刻在芯片表面分别形成冷结区通孔（18a）和热结区通孔（18b），通过金属磁控溅射沉积一层铝后，进行光刻图形化，分别形成连接在所述上游热电堆下层热电偶（5a）和所述上游热电堆上层热电偶（7a）之间的上游热电堆结构热结区（81）、与所述上游热电堆下层热电偶（5a）相连的第一上游热电堆结构冷结区（82）、与所述上游热电堆上层热电偶（7a）相连的第二上游热电堆结构冷结区（83）、连接在所述下游热电堆下层热电偶（5b）和所述下游热电堆上层热电偶（7b）之间的下游热电堆结构热结区（84）、与所述下游热电堆下层热电偶（5b）相连的第一下游热电堆结构冷结区（85）、与所述下游热电堆上层热电偶（7b）相连的第二下游热电堆结构冷结区（86）、与所述中心热源结构（4）相连的热源导线结构（87）；通过等离子体增强化学气相沉积法在芯片顶面沉积一层钝化层（9）；其中，所述中心热源结构（4）呈十字型镂空结构，所述上游热电堆下层热电偶（5a）和所述上游热电堆上层热电偶（7a）构成上游测温元件热电堆（13a）；所述下游热电堆下层热电偶（5b）和所述下游热电堆上层热电偶（7b）构成下游测温元件热电堆（13b）；设置有四组热电堆测温元件，包括围绕于所述中心热源结构（4）设置的第一上游热电堆测温元件（14）、第一下游热电堆测温元件（16）、第二上游热电堆测温元件（15）和第二下游热电堆测温元件（17）；所述第一上游热电堆测温元件（14）和所述第二上游热电堆测温元件（15）均包括多排平行设置的所述上游测温元件热电堆（13a），所述第一下游热电堆测温元件（16）和所述第二下游热电堆测温元件（17）均包括多排平行设置的所述下游测温元件热电堆（13b）；所述第一上游热电堆测温元件（14）中的多排所述上游测温元件热电堆（13a）并通过导线相连后引出第一上游热电堆测温正电极（14a）和第一上游热电堆测温负电极（14b）；所述第二上游热电堆测温元件（15）中的多排所述上游测温元件热电堆（13a）并通过导线相连后引出第二上游热电堆测温正电极（15a）和第二上游热电堆测温负电极（15b）；所述第一下游热电堆测温元件（16）中的多排所述下游测温元件热电堆（13b）并通过导线相连后引出第一下游热电堆测温正电极（16a）和第一下游热电堆测温负电极（16b）；所述第二下游热电堆测温元件（17）中的多排所述下游测温元件热电堆（13b）并通过导线相连后引出第二下游热电堆测温正电极（17a）和第二下游热电堆测温负电极（17b）；所述中心热源结构（4）通过导线引出中心热源加热正电极（4a）和中心热源加热负电极（4b）；所述第一上游热电堆测温正电极（14a）、所述第一上游热电堆测温负电极（14b）、所述第二上游热电堆测温正电极（15a）、所述第二上游热电堆测温负电极（15b）、所述第一下游热电堆测温正电极（16a）、所述第一下游热电堆测温负电极（16b）、所述第二下游热电堆测温正电极（17a）、所述第二下游热电堆测温负电极（17b）、所述中心热源加热正电极（4a）和所述中心热源加热负电极（4b）呈同一直线排布。

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