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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种非易失性光收发片上集成系统，涉及半导体光电集成技术领域，用于至少部分解决目前光子芯片尺寸大且静态功耗高的技术问题。系统包括：硅基异质集成光学平台，由下至上包括硅衬底、二氧化硅埋氧层、硅薄膜层、非易失性相变材料薄膜层、保护层和二氧化硅包埋层，非易失性相变材料薄膜层处于硅薄膜层上方并内设于二氧化硅包埋层内部，保护层位于非易失性相变材料薄膜层上方并内设于二氧化硅包埋层内部；光收发阵列，被配置为基于对非易失性相变材料薄膜层的折射率进行非易失性连续调控，实现对光信号进行调制及解调。
主权项：1.一种非易失性光收发片上集成系统，其特征在于，包括：硅基异质集成光学平台，由下至上包括硅衬底（1）、二氧化硅埋氧层（2）、硅薄膜层（3）、非易失性相变材料薄膜层（4）、保护层（5）和二氧化硅包埋层（6），所述非易失性相变材料薄膜层（4）处于所述硅薄膜层（3）上方并内设于所述二氧化硅包埋层（6）内部，所述保护层（5）位于非易失性相变材料薄膜层（4）上方并内设于所述二氧化硅包埋层（6）内部；光收发阵列，被配置为基于对所述非易失性相变材料薄膜层（4）的折射率进行非易失性连续调控，实现对光信号进行调制及解调。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 非易失性光收发片上集成系统
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