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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体器件包括设置在沟道区域上方的栅极结构和源极漏极区域。栅极结构包括位于沟道区域上方的栅极介电层、位于栅极介电层上方的第一功函调整层、位于第一功函调整层上方的第一屏蔽层、第一阻挡层以及金属栅电极层。第一功函调整层由n型功函调整层组成并且包括铝。第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，含铝层具有比第一功函调整层低的铝浓度。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
主权项：1.一种半导体器件，包括：栅极结构，设置在沟道区域上方；以及源极漏极区域，其中：所述栅极结构包括：栅极介电层，位于所述沟道区域上方；第一功函调整层，位于所述栅极介电层上方；第一屏蔽层，位于所述第一功函调整层上方；第一阻挡层；和金属栅电极层，所述第一功函调整层包括铝，并且所述第一屏蔽层由选自由金属、金属氮化物、金属碳化物、硅化物、包含F、Ga、In、Zr、Mn和Sn中的一种或多种的层和含铝层组成的组中的至少一种制成，所述含铝层具有比所述第一功函调整层低的铝浓度，其中，所述第一功函调整层的原子百分比的铝含量为67％至86％，并且所述第一屏蔽层的原子百分比的铝含量为30％至55％。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 制造半导体器件的方法和半导体器件
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