买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：瑶芯微电子科技(上海)有限公司

摘要：本发明公开了一种基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底上进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底上形成键合中间层，并将β‑Ga2O3转印到键合中间层上，形成异质结衬底；在异质结衬底上生长缓冲层；在缓冲层上依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；形成源极、漏极；在主势垒层的上表面生长氧化层、第一介质层；在第一介质层上形成栅极，在栅极上形成栅极场板；刻蚀第一介质层的两侧；在源极上生长第一源极场；在第一介质层上生长第二介质层，刻蚀第二介质层，并生长第二源极场板。

主权项：1.一种基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，并在所述第一衬底的上表面进行离子注入，形成第二衬底；在所述第二衬底的上表面形成键合中间层，并将β-Ga2O3转印到所述键合中间层的上表面，对β-Ga2O3层进行减薄，形成异质结衬底；在所述异质结衬底的上表面生长一层β-Ga2O3，作为缓冲层；在所述缓冲层的上表面依次生长次势垒层、第一掺杂层、第一异质结层、量子阱层、第二异质结层、第二掺杂层以及主势垒层；在所述主势垒层的上表面两侧进行离子注入，形成源极欧姆接触区以及漏极欧姆接触区；所述源极欧姆接触区以及所述漏极欧姆接触区延伸至所述缓冲层；在所述源极欧姆接触区上形成源极，在所述漏极欧姆接触区上形成漏极；在所述主势垒层的上表面生长氧化层，并在所述氧化层的上表面生长第一介质层；在所述第一介质层上形成栅极，在所述栅极上形成栅极场板，且所述栅极场板的长度大于所述栅极的长度，并用与所述第一介质层材料相同的材料覆盖所述栅极以及所述栅极场板；刻蚀所述第一介质层的两侧，以露出所述源极以及所述漏极的至少一部分上表面；在所述源极上生长第一源极场板，所述第一源极场板覆盖所述第一介质层的至少一部分上表面；在所述第一源极场板和所述第一介质层上生长第二介质层，刻蚀所述第二介质层与所述源极在同一方向上的一侧，并生长第二源极场板，所述第二源极场板覆盖所述第二介质层的至少一部分上表面，且所述第二源极场板的长度大于所述第一源极场板的长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 瑶芯微电子科技(上海)有限公司 基于栅极场板和双源极场板的HEMT器件及其制备方法