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申请/专利权人：信越化学工业株式会社
摘要：本发明的III族氮化物基板的制造方法包括以下工序：在基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体；对III族氮化物膜担载体的III族氮化物膜进行离子注入，在III族氮化物膜上形成离子注入区；将已进行离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将III族氮化物膜担载体接合于基底基板；使III族氮化物膜担载体从基底基板上分离，将离子注入区转印至基底基板，在基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在基底基板的表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。本发明的III族氮化物基板是利用本发明的III族氮化物基板的制造方法制造的。根据本发明，可提供：可制造大口径和高品质的III族氮化物基板的III族氮化物基板的制造方法；以及利用该制造方法制造的III族氮化物基板。
主权项：1.III族氮化物基板的制造方法，该制造方法包括以下工序：在选自Si111基板、蓝宝石基板、SiC基板、GaAs基板和SCAMScAlMgO4基板的基板的两面形成表面为III族元素面的III族氮化物膜，制作III族氮化物膜担载体，上述III族氮化物膜的膜厚为0.5μm以上，形成于基板的一个面的III族氮化物膜的厚度与形成于基板的另一个面的III族氮化物膜的厚度之差为0.5μm以下，上述III族氮化物膜担载体的曲率半径为10m以上；对上述III族氮化物膜担载体的两面中的至少一个面的III族氮化物膜进行离子注入，在上述III族氮化物膜上形成离子注入区；将上述III族氮化物膜担载体的进行了上述离子注入的III族氮化物膜与主要成分为III族氮化物的多晶基底基板贴合，将上述III族氮化物膜担载体接合于上述基底基板；使上述III族氮化物膜担载体从上述基底基板上分离，将上述III族氮化物膜的上述离子注入区转印至上述基底基板，在上述基底基板上形成表面为N面的III族氮化物膜；以及利用THVPE法在上述基底基板的上述表面为N面的III族氮化物膜上形成III族氮化物膜，制作III族氮化物膜的厚膜。
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权利要求：
百度查询： 信越化学工业株式会社 III族氮化物基板的制造方法和III族氮化物基板
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