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申请/专利权人：中国工程物理研究院材料研究所

摘要：本发明公开了一种涡流膜厚传感器，涉及无损检测技术领域。该传感器包括：激励线圈、对消线圈、磁传感器、激励电路和驱动分析电路，其中，激励线圈位于待测样品的上方，用于产生激励磁场；对消线圈与激励线圈串联连接，且与激励线圈同轴，用于产生对消磁场；磁传感器位于激励线圈与对消线圈之间，用于测量待测样品、激励线圈与对消线圈之间的磁感应强度信号；激励电路分别与激励线圈和对消线圈连接，用于产生激励信号；驱动分析电路分别与激励电路和磁传感器连接，用于根据激励信号和磁感应强度信号确定待测样品的膜厚。本发明能够降低涡流膜厚测量对设备动态范围的要求，使磁传感器的高灵敏性能可以充分发挥，因此可以大幅提高膜厚分辨能力。

主权项：1.一种涡流膜厚传感器，其特征在于，所述涡流膜厚传感器包括：激励线圈，位于待测样品的上方，用于产生激励磁场；所述激励磁场在所述待测样品的金属基体中产生涡流；所述涡流产生的磁场与所述激励磁场的方向相反；对消线圈，与所述激励线圈串联连接，且与所述激励线圈同轴，用于产生对消磁场；所述对消磁场与所述激励磁场的方向相反，且所述对消磁场的磁感应强度等于所述激励磁场的磁感应强度的90％～98％；磁传感器，位于所述激励线圈与所述对消线圈之间，用于测量所述待测样品、所述激励线圈与所述对消线圈之间的磁感应强度信号；激励电路，分别与所述激励线圈和所述对消线圈连接，用于产生激励信号；所述激励磁场及所述对消磁场均根据所述激励信号产生；驱动分析电路，分别与所述激励电路和所述磁传感器连接，用于根据所述激励信号和所述磁感应强度信号确定所述待测样品的膜厚；所述驱动分析电路包括：磁传感器读出电路，与所述磁传感器连接，用于将所述磁感应强度信号转换为模拟电信号；锁相放大模块，分别与所述激励电路和所述磁传感器读出电路连接，用于根据所述激励信号的频率确定所述模拟电信号中的激励频率对应的频率谱密度信号；所述激励频率对应的频率谱密度信号用于计算所述待测样品的膜厚；其中，所述锁相放大模块通过对输入信号进行快速傅里叶变换，提取出激励频率对应的频率谱密度信号，该激励频率对应的频率谱密度信号反映相应频率涡流产生的磁场幅度。

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权利要求：

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