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申请/专利权人：京城中安半导体(北京)有限公司

摘要：本发明公开了一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，包括运算跨导放大器和源极跟随器；输入电压为下限时，第八NMOS管N8能够充分工作在饱和区，因而能够保证足够的环路增益；输入电压迫近电源电压时，第七PMOS管P7进入线性区，第七PMOS管P7的栅极电压急剧下降，但是只要没有下降到迫使第九NMOS管N9进入线性区，第六PMOS管P6的源极电压即本发明的输出电压就能够正常跟随栅极电压即OTA的输出电压的变化，进而就能够保证足够的环路增益；本发明的优点在于，能够在较宽输入电压范围内维持较高且恒定的环路增益，保障了较低的电压缓冲误差和非线性失真。

主权项：1.一种纳米级CMOS工艺下高线性度单位增益电压缓冲器，其特征在于，包括运算跨导放大器和源极跟随器；所述运算跨导放大器采用折叠共源共栅输入型运算跨导放大器，其包括第一NMOS管N1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第五NMOS管N5、第六NMOS管N6、第七NMOS管N7、第八NMOS管N8、第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、电阻R、电容C和电压源VDD；所述源极跟随器包括第九NMOS管N9、第十NMOS管N10、第六PMOS管P6、第七PMOS管P7、第八PMOS管P8；同时所述第一NMOS管N1的栅极连接到电压输入端，所述第一NMOS管N1的源极分别连接到第二NMOS管N2的源极、第三NMOS管N3的漏极，所述第一NMOS管N1的漏极分别连接到第二PMOS管P2的源极、第四PMOS管P4的漏极；所述第二NMOS管N2的漏极连接到第一PMOS管P1的源极、第三PMOS管P3的漏极；所述第四NMOS管N4的源极连接到第六NMOS管N6的漏极，所述第四NMOS管N4的漏极分别连接到第六NMOS管N6的栅极、第七NMOS管N7的栅极、第一PMOS管P1的漏极；所述第五NMOS管N5的源极连接到第七NMOS管N7的漏极，所述第五NMOS管N5的漏极分别连接到第八NMOS管N8的栅极、第二PMOS管P2的漏极、电阻R的一端，所述电阻R的另一端接电容C的一端，所述电容C的另一端接所述第八NMOS管N8的漏极、第五PMOS管P5的漏极以及第六PMOS管P6的栅极；所述第九NMOS管N9的源极分别连接到第十NMOS管N10的漏极、第六PMOS管P6的漏极，所述第九NMOS管N9的漏极分别连接到第七PMOS管P7的栅极、第八PMOS管P8的漏极；所述第三PMOS管P3的栅极、所述第四PMOS管P4的栅极、所述第五PMOS管P5的栅极、所述第八PMOS管P8的栅极连接第一偏置电压Vbias1，所述第一PMOS管P1的栅极、所述第二PMOS管P2的栅极连接第二偏置电压Vbias2，所述第四NMOS管N4的栅极、第五NMOS管N5的栅极、所述第九NMOS管N9的栅极连接第三偏置电压Vbias3，所述第三NMOS管N3的栅极、所述第十NMOS管N10的栅极连接第四偏置电压Vbias4；所述第二NMOS管N2的栅极、所述第六PMOS管P6的源极、所述第七PMOS管P7的漏极连接到电压输出端。

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