买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：哈工大郑州研究院;哈尔滨工业大学

摘要：本发明提供一种微米双内凹结构表面的制造方法、超疏油材料，属于功能性材料技术领域，制造方法包括：在半导体材料的表面设置光刻胶层；使预设微图案转移至光刻胶层上，得到光刻胶掩模板；对二氧化硅层进行第二刻蚀，在二氧化硅层上与预设微图案对应位置形成第一圆柱孔阵列；对硅层进行第三刻蚀，在硅层中形成第二圆柱孔，去除光刻胶掩膜板；形成沉积二氧化硅层，去除位于第二圆柱孔底部的沉积二氧化硅层；采用Bosch工艺，对第二圆柱孔中的硅进行各向异性刻蚀；继续对第二圆柱孔中硅层进行各向同性刻蚀，形成了微米双内凹结构表面。本发明能够增大结构表面的突破压和三相界面稳固性，实现对低表面张力液体的稳固超排斥。

主权项：1.一种微米双内凹结构表面的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、在半导体材料的表面设置光刻胶层；其中，所述半导体材料包括上下设置的硅层（1）和二氧化硅层（2），所述光刻胶层设置在所述二氧化硅层（2）远离所述硅层（1）一侧的表面上，所述二氧化硅层（2）的厚度为0.2-2μm；步骤S2、对所述光刻胶层进行第一刻蚀，使预设微图案转移至光刻胶层上，得到光刻胶掩模板（3）；其中，所述预设微图案为圆孔阵列结构，所述圆孔阵列结构中相邻圆孔的间距相同；所述预设微图案中，所述圆孔的直径为3μm，所述圆孔的圆心距为8μm；步骤S3、根据所述光刻胶掩模板（3），对所述二氧化硅层（2）进行第二刻蚀，在所述二氧化硅层（2）上与所述预设微图案对应位置形成第一圆柱孔阵列，所述第一圆柱孔阵列中包括多个周期性阵列的第一圆柱孔，得到第一刻蚀半导体材料；步骤S4、在所述二氧化硅层（2）中所述预设微图案的对应区域，沿所述第一圆柱孔的轴向对所述硅层（1）进行第三刻蚀，在所述硅层（1）中形成与所述第一圆柱孔对应的第二圆柱孔，然后去除所述光刻胶掩膜板（3），得到第二刻蚀半导体材料；步骤S5、在所述第二刻蚀半导体材料中具有所述二氧化硅层（2）的一侧沉积二氧化硅，形成沉积二氧化硅层（4），然后通过刻蚀去除位于所述第二圆柱孔底部的所述沉积二氧化硅层（4），得到第三刻蚀半导体材料；步骤S6、采用深反应离子刻蚀机的Bosch工艺，对所述第二圆柱孔中的所述硅层（1）进行各向异性刻蚀，得到第四刻蚀半导体材料；步骤S7、继续对所述第二圆柱孔中所述硅层（1）进行各向同性刻蚀，在所述半导体材料上形成了微米双内凹结构表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈工大郑州研究院 哈尔滨工业大学 一种微米双内凹结构表面的制造方法、超疏油材料