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申请/专利权人:江苏鑫华半导体科技股份有限公司
摘要:本发明涉及负极材料及电池技术领域,尤其涉及一种可长期脱嵌锂的硅碳材料,包括碳前体、沉积在所述碳前体孔隙内的纳米硅,以及包覆在所述碳前体和所述纳米硅外侧的表面包覆层;所述碳前体的比表面积为Am2g,所述碳前体的孔隙面积为Bm2g,其中1000≤A≤3000,400≤B≤2700,0.4≤BA≤0.9。本发明通过限制硅碳材料的碳前体内部及表面特征、硅碳材料颗粒体积分布及元素含量分布,通过控制孔隙面积和孔径分布,实现了高孔隙率与优良锂离子传输性能的平衡。这不仅有利于锂离子的快速扩散,也提高了材料的倍率性能。显著提升电化学装置的脱嵌锂能力及倍率性能,更有利于商业化扩展。
主权项:1.一种可长期脱嵌锂的硅碳材料,其特征在于,包括碳前体、沉积在所述碳前体孔隙内的纳米硅,以及包覆在所述碳前体和所述纳米硅外侧的表面包覆层;所述碳前体的比表面积为Am2g,所述碳前体的孔隙面积为Bm2g,其中1000≤A≤3000,400≤B≤2700,0.4≤BA≤0.9。
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百度查询: 江苏鑫华半导体科技股份有限公司 一种可长期脱嵌锂的硅碳材料及其制备和应用
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