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申请/专利权人:湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)
摘要:本发明公开了一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法,属于微纳制造技术领域,通过将光刻胶薄膜置于悬空状态执行曝光过程,消除衬底对于光刻分辨率,然后通过透明载体将曝光后的光刻胶剥离并完成显影,之后将显影后的光刻胶图案转移释放至目标衬底。所述提升集成精度的方法在于光刻胶薄膜显影后的图案中同时包含套刻标记,在释放过程中将其与目标衬底上的标记进行对准,可显著提升异质集成精度。本发明将光刻技术的分辨率推进极限,甚至能够进一步拓展电子束与光学混合匹配光刻技术的应用场景,为跨尺度微纳结构、3D异质异构系统、以及多功能光电子器件的制备和集成提供新的解决方案。
主权项:1.一种增强光刻分辨率和异质集成精度的制备方法,其特征在于,该方法具体步骤如下:S1,在基底上制备悬空支撑层薄膜窗口,作为支撑层;S2,在基底上旋涂光刻胶,并去除支撑层;S3,采用光刻技术,对悬空光刻胶薄膜进行曝光;S4,采用旋涂光热转换涂层LTHC层的玻璃基板,贴敷在光刻胶薄膜表面,然后施加外力剥离光刻胶薄膜,获得光刻胶LTHC玻璃基板叠层,并进行显影;S5,将显影后的光刻胶薄膜LTHC玻璃基板利用显微对准装置与目标样品对准后,进行表面贴敷;S6,释放光刻胶薄膜,实现光刻胶图案与目标结构的异质集成;之后,以此光刻胶图案为掩模,执行金属沉积、剥离或者刻蚀后续工艺。
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