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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供了一种用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法，包括：在热沉上的第一电极上焊接出第一压焊点后，从第一压焊点向热沉上的第三电极拉出第一引线后断线，其中，第一引线的末端悬浮在第三电极的上方；在热沉上的第二电极上焊接出第二压焊点后，从第二压焊点向第三电极拉出第二引线，并将第二引线的末端与第一引线的末端共同压焊在第三电极上，形成第三压焊点；其中，第一电极为S电极，第二电极为并联电阻电极，第三电极为P电极，第一引线形成射频线，第二引线形成直流电压线；或第一电极为并联电阻电极，第二电极为S电极，第三电极为P电极，第一引线形成电吸收调制器的直流电压线，第二引线形成电吸收调制器的射频线。
主权项：1.一种用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法，其特征在于，包括：在热沉上的第一电极上焊接出第一压焊点后，从所述第一压焊点向所述热沉上的第三电极拉出第一引线后断线，其中，所述第一引线的末端悬浮在所述第三电极的上方；在所述热沉上的第二电极上焊接出第二压焊点后，从所述第二压焊点向所述第三电极拉出第二引线，并将所述第二引线的末端与所述第一引线的末端共同压焊在所述第三电极上，形成第三压焊点；其中，所述第一电极为S电极，所述第二电极为并联电阻电极，所述第三电极为电吸收调制器的P电极，所述第一引线形成所述电吸收调制器的射频线，所述第二引线形成所述电吸收调制器的直流电压线；或所述第一电极为并联电阻电极，所述第二电极为S电极，所述第三电极为电吸收调制器的P电极，所述第一引线形成所述电吸收调制器的直流电压线，所述第二引线形成所述电吸收调制器的射频线。
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百度查询： 中国科学院半导体研究所 用于电吸收调制器射频线和直流电压线的封装方法
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