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申请/专利权人：深圳市美浦森半导体有限公司
摘要：本发明公开一种提高IGBT过流能力的驱动电路，包括二极管D1，比较器U1，三极管Q1，稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，二极管D1负极与IGBT集电极连接，比较器U1负输入端与二极管D1正极连接，比较器U1负输入端还通过电阻R9与电源正极连接，比较器U1正输入端通过电阻R4与电源正极连接，电阻R4输出端通过电阻R5接地，比较器U1输出端与三极管Q1基极连接，稳压二极管ZD1正极连接于IGBT发射极，负极与三极管Q1集电极连接，稳压二极管ZD2正极分别与稳压二极管ZD1负极以及三极管Q1集电极连接，稳压二极管ZD2负极通过三极管Q1发射极接地，通过上述设置，本发明可通过稳压二极管ZD1和稳压二极管ZD2来实时调整发射极电位，以提升IGBT的关断电流能力和短路耐受能力。
主权项：1.一种提高IGBT过流能力的驱动电路，其特征在于，包括二极管D1，比较器U1，三极管Q1，稳压二极管ZD1以及稳压二极管ZD2，所述二极管D1负极与IGBT集电极连接，所述比较器U1负输入端与所述二极管D1正极连接，所述比较器U1负输入端还通过电阻R9与电源正极连接，所述比较器U1正输入端通过电阻R4与电源正极连接，所述电阻R4输出端通过电阻R5接地，所述比较器U1输出端与三极管Q1基极连接，所述稳压二极管ZD1正极连接于IGBT发射极、负极与所述三极管Q1集电极连接，所述稳压二极管ZD2正极分别与所述稳压二极管ZD1负极以及所述三极管Q1集电极连接，所述稳压二极管ZD2负极通过所述三极管Q1发射极接地。
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权利要求：
百度查询： 深圳市美浦森半导体有限公司 一种提高IGBT过流能力的驱动电路
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