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申请/专利权人：株式会社迪思科
摘要：本发明提供晶片的加工方法，能够抑制形成有圆形凹部的晶片的挠曲。晶片的加工方法包含如下的步骤：圆形凹部形成步骤，在晶片背面的中央形成圆形凹部，从而形成围绕圆形凹部的环状凸部；以及改质层形成步骤，在实施圆形凹部形成步骤之前或之后，向环状凸部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束而形成改质层。
主权项：1.一种晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：圆形凹部形成步骤，在该晶片的背面的中央形成圆形凹部，从而形成围绕该圆形凹部的环状凸部；以及改质层形成步骤，在实施该圆形凹部形成步骤之前或之后，向该环状凸部照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束而形成改质层。
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