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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：公开了一种用于基于纳米带的晶体管的金属栅极制造方法以及相关联的晶体管布置、IC结构、和器件。使用本文中描述的金属栅极制造方法制造的示例IC结构可以包括N型纳米带的第一堆叠、P型纳米带的第二堆叠、封围第一堆叠的纳米带的部分并且包括第一堆叠的相邻纳米带之间的NWF材料的第一栅极区、以及封围第二堆叠的纳米带的部分并且包括第二堆叠的相邻纳米带之间的PWF材料的第二栅极区，其中第二栅极区包括在第二堆叠的纳米带的侧壁处的PWF材料，并且进一步包括NWF材料，使得PWF材料在第二堆叠的纳米带的侧壁和NWF材料之间。
主权项：1.一种集成电路IC结构，包括：纳米带的第一堆叠，其中第一堆叠的纳米带的部分是N型晶体管的沟道区；纳米带的第二堆叠，其中第二堆叠的纳米带的部分是P型晶体管的沟道区；第一栅极区，其封围第一堆叠的纳米带的部分，并且包括在第一堆叠的相邻纳米带之间的N型功函数NWF材料；和第二栅极区，其封围第二堆叠的纳米带的部分，并且包括在第二堆叠的相邻纳米带之间的P型功函数PWF材料，其中所述第二栅极区包括在第二堆叠的纳米带的侧壁处的PWF材料，并且进一步包括NWF材料，使得PWF材料在第二堆叠的纳米带的侧壁和NWF材料之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 用于基于纳米带的晶体管的金属栅极制造
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