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申请/专利权人：广西大学
摘要：本发明公开了一种无裂纹硅基氮化镓HEMT外延片，包括：硅基衬底；AlN成核层，其生长在所述硅基衬底的上方；AlGaN缓冲层，其生长在所述AlN成核层上方；AlGaNAlN超晶格应力调控层，其生长在所述AlGaN缓冲层上方；AlGaN应力调控层，其生长在所述AlGaNAlN超晶格应力调控层上方；以及HEMT外延层，其生长在所述AlGaN应力调控层上方。本发明无裂纹硅基氮化镓HEMT外延片，在外延片内生长合适的缓冲层和应力调控层，才能在硅衬底上异质外延得到高质量无裂纹的GaN薄膜，进而得到高电子密度和迁移率的HEMT外延片。本发明的HEMT外延片可以应用于包括无线通信、雷达、卫星通信、电力转换和节能应用等多个领域，在高频、高速、高功率的需求下相较于传统材料的明显优势。
主权项：1.一种无裂纹硅基氮化镓HEMT外延片，其特征在于，包括：硅基衬底；AlN成核层，其生长在所述硅基衬底的上方；AlGaN缓冲层，其生长在所述AlN成核层上方；AlGaNAlN超晶格应力调控层，其生长在所述AlGaN缓冲层上方；AlGaN应力调控层，其生长在所述AlGaNAlN超晶格应力调控层上方；以及HEMT外延层，其生长在所述AlGaN应力调控层上方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 广西大学 无裂纹硅基氮化镓HEMT外延片及其生长方法
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