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申请/专利权人：友达光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种半导体装置，包括第一源极漏极、第一绝缘结构、第二源极漏极、半导体结构、栅介电层以及栅极。第一绝缘结构位于第一源极漏极上。第一源极漏极、第一绝缘结构以及第二源极漏极在第一方向上依序堆叠。半导体结构从第二源极漏极沿着第一绝缘结构的第一侧面延伸至第一源极漏极的顶面。半导体结构的第一部分接触第一源极漏极且具有第一厚度。半导体结构的第二部分接触第二源极漏极且具有第二厚度。第二厚度不同于第一厚度。
主权项：1.一种半导体装置，包括：第一源极漏极；第一绝缘结构，位于该第一源极漏极上；第二源极漏极，位于该第一绝缘结构的顶面上，其中该第一源极漏极、该第一绝缘结构以及该第二源极漏极在第一方向上依序堆叠，且该第一源极漏极与该第二源极漏极通过该第一绝缘结构而彼此分离；半导体结构，从该第二源极漏极沿着该第一绝缘结构的第一侧面延伸至该第一源极漏极的顶面，其中该半导体结构的第一部分接触该第一源极漏极且具有第一厚度，且该半导体结构的第二部分接触该第二源极漏极且具有第二厚度，该第二厚度不同于该第一厚度；栅介电层，位于该半导体结构上；以及栅极，位于该栅介电层上，该栅极在该第一方向上重叠于该第一绝缘结构的该第一侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 友达光电股份有限公司 半导体装置
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