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申请/专利权人：西安理工大学
摘要：本发明公开了AlGaNGaN超晶格电控异质透反射重构器件及制备方法，包括衬底，衬底上依次设置有顶层透反射区域、二氧化硅层V、钝化层，衬底上设置有两个隔离区，两个隔离区的顶部贯穿顶层透反射区域，顶层透反射区域上且位于两个隔离区之间设置有P区、N区，二氧化硅层V上且位于P区、N区上方位置设置有合金引线，每个合金引线的顶部均贯穿二氧化硅层V且设置于钝化层内。本发明器件通过引入AlN有源区，形成有源区AlN和AlGaNGaN超晶格区域的异质结构，进一步改善器件透射和反射效率。
主权项：1.AlGaNGaN超晶格电控异质透反射重构器件，其特征在于，包括衬底1，所述衬底1上依次设置有顶层透反射区域4、二氧化硅层V17、钝化层20，所述衬底1上设置有两个隔离区8，两个所述隔离区8的顶部贯穿顶层透反射区域4，所述顶层透反射区域4上且位于两个隔离区8之间设置有P区14、N区16，所述二氧化硅层V17上且位于P区14、N区16上方位置设置有合金引线19，每个合金引线19的顶部均贯穿二氧化硅层V17且设置于钝化层20内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安理工大学 AlGaN/GaN超晶格电控异质透反射重构器件及制备方法
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