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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种浮栅硬掩膜层沟槽及其刻蚀方法，通过在第一刻蚀工艺中，增大刻蚀气体总流量和刻蚀气体分布密度至预设阈值以减小中心区域和边缘区域的第一沟槽轮廓差异，并在中心区域通入氧气，使氧气和第一沟槽内的聚合物发生反应，以减少中心区域的第一沟槽内的聚合物；在第二刻蚀工艺中，增大钝化气体比例，以使边缘区域的第一沟槽的轮廓也呈倒梯形，避免边缘区域的第一沟槽的轮廓呈底切状；在第三刻蚀工艺中，刻蚀硬掩模层形成第二沟槽，第二沟槽为第一沟槽在硬掩模层内的延伸，硬掩模层的刻蚀速率分布规律与底部抗反射层的刻蚀速率分布规律相反，从而抑制中心区域的第二沟槽轮廓呈倒梯形，减轻边缘区域的第二沟槽轮廓呈底切状。
主权项：1.一种浮栅硬掩膜层沟槽的刻蚀方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底包括中心区域和位于所述中心区域周围的边缘区域，所述衬底上依次形成有硬掩模层和底部抗反射层；执行第一刻蚀工艺，获取刻蚀气体总流量和刻蚀气体分布密度的初始值，增大所述初始值至预设阈值，刻蚀所述底部抗反射层形成第一沟槽，并在所述中心区域通入氧气，所述氧气和所述第一沟槽内的聚合物发生反应，以减少所述中心区域的第一沟槽内的聚合物；执行第二刻蚀工艺，增大钝化气体比例，继续刻蚀所述底部抗反射层，所述边缘区域的所述第一沟槽的轮廓呈倒梯形；执行第三刻蚀工艺，刻蚀所述硬掩模层形成第二沟槽，所述第二沟槽为第一沟槽在所述硬掩模层内的延伸，所述硬掩模层的刻蚀速率分布规律与所述底部抗反射层的刻蚀速率分布规律相反。
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权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 浮栅硬掩膜层沟槽及其刻蚀方法
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