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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供了一种监控晶圆研磨速率的方法和设备，通过在沿控片表面的径向的线形区域设置多个点位，其中相对的第一端点和第二端点位于所述控片的边缘，测量研磨所述控片时每个点位的研磨速率，分别获取靠近所述第一端点和所述第二端点的多个点位的研磨速率的平均值作为第一速率、第二速率，获取所述线形区域中段的多个点位的研磨速率的平均值作为中心速率；获取所述中心速率与所述第一速率的差值作为第一差值、所述中心速率与所述第二速率的差值作为第二差值；将所述第一差值和所述第二差值分别与相应的阈值范围比较，同时监控所述控片两侧，并且在监控边缘区域研磨速率时加入中心区域的研磨速率的影响，提高了控片速率监控的全面性和准确性。
主权项：1.一种监控晶圆研磨速率的方法和设备，其特征在于，包括：沿控片表面的径向取一线形区域，所述线形区域相对的第一端点和第二端点位于所述控片的边缘；在所述线形区域设置多个点位，测量研磨所述控片时每个点位的研磨速率；获取靠近所述第一端点的多个点位的研磨速率的平均值作为第一速率，获取靠近所述第二端点的多个点位的研磨速率的平均值作为第二速率，获取所述线形区域中段的多个点位的研磨速率的平均值作为中心速率；获取所述中心速率与所述第一速率的差值作为第一差值，获取所述中心速率与所述第二速率的差值作为第二差值；将所述第一差值与第一阈值范围进行比较以及将所述第二差值与第二阈值范围进行比较，如果所述第一差值超出所述第一阈值范围，和或所述第二差值超出所述第二阈值范围，则触发异常处理。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 监控晶圆研磨速率的方法和设备
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