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申请/专利权人：青岛海存微电子有限公司
摘要：本申请提供一种复合膜层结构及其制作方法、磁存储器，涉及半导体技术领域，用于解决提高热稳定性和降低写入功率难以同时兼容的技术问题。该复合膜层结构包括第一磁性层、晶格分离层、诱导层和第二磁性层；第一磁性层、晶格分离层和第二磁性层依次堆叠设置，诱导层包括至少一个岛状分体或者诱导层为两端厚度不同的连续膜层，诱导层设置在第一磁性层，和或，设置在第一磁性层朝向晶格分离层的一侧。诱导层和晶格分离层相配合，增强第一磁性层与第二磁性层之间的耦合，并减少两者之间的晶格结构的影响，使第一磁性层与第二磁性层可以更加同步翻转，提高写入效率。诱导层与晶格分离层接触，可以缓解诱导层表面的不平整度，进一步提升器件性能。
主权项：1.一种复合膜层结构，其特征在于，包括：第一磁性层、晶格分离层、诱导层和第二磁性层；所述第一磁性层、所述晶格分离层和所述第二磁性层依次堆叠设置，所述诱导层包括至少一个岛状分体或者所述诱导层为两端厚度不同的连续膜层；所述诱导层设置在所述第一磁性层内，和或，设置在所述第一磁性层朝向所述晶格分离层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 青岛海存微电子有限公司 复合膜层结构及其制作方法、磁存储器
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