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申请/专利权人：上海大学
摘要：本发明涉及一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法，其化学式为：Nb0.75Ti0.25FeCrxSb，其中x取值范围为0≤x≤0.1；采用高能球磨HEBM与火花等离子体烧结SPS以及退火的方法制备出呈类赫斯勒结构的纯相，该合金表现出与半导体型半赫斯勒合金类似的优异热电性能，其中x＝0.1的成分存在最高zT值，且在973K时达到最大值1.21。表明了空位填充作为优化HH化合物热电性能策略的有效性。低热导率和高电学性能在该化合物中的成功结合，为先进热电材料的发展提供了一条有希望的途径。
主权项：1.一种空位填充型赫斯勒热电材料，其特征在于，所述空位填充型赫斯勒热电材料由基本框架和填充原子组成，所述填充原子位于基本框架的间隙；所述基本框架的化学式为NbyTizFeSb，其中，y取值范围为0.75≤y≤1，z取值范围为0≤z≤0.25，所述填充原子为Cr原子。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海大学 一种空位填充型赫斯勒热电材料及其制备方法
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