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申请/专利权人：中国科学院金属研究所
摘要：本发明涉及单晶金属箔的制备领域，具体为一种大面积单晶金属箔的制备方法，该方法适用于单晶金属箔材的批量化制备。该方法包括以下步骤：一将未进行任何处理的工业级商业多晶金属箔平铺在平整基底上，并共同置于管式炉等加热设备中，然后在氧化气氛下开始升温；二以一定的速率升温至目标温度，进行一段时间的持续退火过程；三退火结束后，自然冷却至室温；四将金属箔从平整基底上缓慢揭下，即可实现与平整基底的完美分离，得到单晶金属箔。采用本发明可通过简单的工艺，高效率、低成本实现大面积单晶金属箔的批量化制备，因单晶金属箔具有较高的电学和机械性能，可广泛应用于电器、机械、建筑、国防等重要领域。
主权项：1.一种大面积单晶金属箔的制备方法，其特征在于，将未进行任何处理的、一定厚度的多晶金属箔平铺在平整基底上，并共同置于加热设备中，在氧化气氛下开始升温；以5～300℃min的速率升温至低于金属箔熔点10～100℃，进行退火过程，退火持续的时间为1分钟～24小时；退火结束后，自然冷却至室温；将金属箔从平整基底上缓慢揭下，实现与平整基底的完美分离，得到单晶金属箔。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院金属研究所 一种大面积单晶金属箔的制备方法
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