买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

摘要：本发明涉及一种碳化硅场效应晶体管结构，属于功率半导体技术领域；包括漏极金属电极、N+衬底区、第一N‑漂移区、埋置P区、埋置N+区、埋置多晶硅、隔离介质层、第二N‑漂移区、P‑base区、N+源区、源极金属电极、栅极多晶硅和栅极氧化层；埋置N+区、隔离介质层横向交替设置在第一N‑漂移区与第二N‑漂移区之间，其中埋置N+区作为连接两者的导电通道；“U”型分布的埋置P区位于隔离介质层下方，内部设置有与源极金属电极相连接的埋置多晶硅。本发明结构有效降低了由于高能带电粒子轰击引起的栅极氧化层强电场，大幅提升了碳化硅场效应晶体管的抗单粒子辐射能力。

主权项：1.一种碳化硅场效应晶体管结构，其特征在于：包括漏极金属电极201、N+衬底区202、第一N-漂移区203、2个埋置P区204、2个埋置多晶硅205、3个埋置N+区206、2个隔离介质层207、第二N-漂移区208、2个P-base区209、2个N+源区210、栅极多晶硅211、栅极氧化层212和源极金属电极213；其中，漏极金属电极201水平设置；N+衬底区202位于所述漏极金属电极201的上表面；第一N-漂移区203位于所述N+衬底区202的上表面；埋置P区204呈U型布局，2个埋置P区204对称位于第一N-漂移区203内部的顶部；埋置多晶硅205与埋置P区204一一对应，每个埋置多晶硅205位于对应埋置P区204内部，且埋置多晶硅205的底部和侧壁被埋置P区204包围；隔离介质层207与埋置P区204一一对应；每个隔离介质层207位于埋置P区204和埋置多晶硅205的上表面；隔离介质层207的宽度与埋置P区204的宽度相同；3个埋置N+区206与2个隔离介质层207位于同层，且3个埋置N+区206被2个隔离介质层207间隔分布；3个埋置N+区206与2个隔离介质层207的上表面平齐；第二N-漂移区208位于埋置N+区206和隔离介质层207的上表面；2个P-base区209对称位于第二N-漂移区208内部的顶部，且分别位于第二N-漂移区208的两端；N+源区210与P-base区209一一对应，每个N+源区210位于对应P-base区209内部顶端；源极金属电极213设置在P-base区209和N+源区210的顶部；栅极氧化层212位于源极金属电极213内部的底部，且栅极氧化层212的底面与P-base区209和N+源区210的顶部接触；栅极多晶硅211位于栅极氧化层212的内部中心位置；所述隔离介质层207、埋置N+区206横向交替设置在第一N-漂移区203与第二N-漂移区208之间；其中，埋置N+区206作为连接两者的导电通道；所述埋置多晶硅205通过设置的隔离介质层207与第二N-漂移区208隔离；埋置多晶硅205通过设置的埋置P区204与第一N-漂移区203隔离；所述埋置多晶硅205在器件元胞结构外部与源极金属电极213连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京微电子技术研究所 北京时代民芯科技有限公司 一种碳化硅场效应晶体管结构