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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

摘要：本发明公开了一种超级结MOSFET及其制造方法。该超级结MOSFET包括第一、第二沟槽，第一导电类型衬底、柱区和源区，第二导电类型阱区、柱区和辅助柱区。于第一沟槽中形成第一导电材料和第一介质，于第二沟槽中形成第二导电材料和第二介质，于第二沟槽两侧形成第二导电类型辅助柱区。关断状态下，通过第二导电类型辅助柱区的辅助耗尽，确保耐压层的有效耗尽，有效防止器件提前击穿，充分发挥超结结构高击穿电压、低导通电阻的优势。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。

主权项：1.一种超级结MOSFET，其特征在于，包括：漏极；第一导电类型衬底，位于所述漏极之上；第一导电类型柱区，位于所述第一导电类型衬底之上；第二导电类型柱区，位于所述第一导电类型衬底之上，与所述第一导电类型柱区毗邻；第二导电类型阱区，位于所述第一导电类型柱区和第二导电类型柱区之上；第一导电类型源区，位于所述第二导电类型阱区之中；第一沟槽，贯穿所述第二导电类型阱区和第一导电类型源区，并延伸入第二导电类型柱区中，第一沟槽的宽度范围为1.0µm~5.0µm，第一沟槽的深度大于第二导电类型阱区的深度，二者之差不小于0.3µm；第二沟槽，位于所述第一沟槽底部，与所述第一沟槽相连通，第二沟槽的宽度小于第一沟槽的宽度，二者之差为0.5µm~3.0µm，第二导电类型第一辅助柱区、第二导电类型第二辅助柱区，位于第二沟槽两侧；第二导电类型第一辅助柱区底面、第二导电类型第二辅助柱区底面、第二沟槽的底面与第二导电类型柱区的底面齐平；第一导电材料，位于所述第一沟槽之中；第一介质，位于所述第一沟槽之中，将所述第一导电材料与所述第一导电类型柱区、第二导电类型阱区和第一导电类型源区隔绝；第二导电材料，位于所述第二沟槽之中；第二介质，位于所述第二沟槽之中，将所述第二导电材料与所述第二导电类型第一辅助柱区、第二导电类型第二辅助柱区隔绝；隔离介质层，位于所述第一导电类型外延层之上，完全覆盖第一导电材料；源极，位于所述隔离介质层的两侧及之上。

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