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申请/专利权人：深圳优普莱等离子体技术有限公司;广东优普莱金刚石技术有限公司
摘要：本发明公开了一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法，所述方法包括：当接收到第一刻蚀指令时，则对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理；当抽真空处理完成时，则向反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气，并进行等离子体激发处理，得到氢氧等离子体；根据氢氧等离子体对待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，以完成待刻蚀金刚石的生长面杂质去除；当接收到第二刻蚀指令时，则获取氢等离子体，并根据氢等离子体对待刻蚀金刚石的背面进行背面刻蚀处理，以完成待刻蚀金刚石的背面杂质去除。本发明通过MPCVD设备激发氢气和氧气产生氢氧等离子体，能够对金刚石表面杂质进行有效去除，保证了金刚石质检的正常进行。
主权项：1.一种基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法，其特征在于，所述基于MPCVD设备的金刚石表面杂质去除方法包括：当接收到第一刻蚀指令时，则根据所述第一刻蚀指令对待刻蚀金刚石所处的反应腔体进行抽真空处理；当抽真空处理完成时，则向所述反应腔体充入预设流量范围的氢气和氧气，并对所述氢气和所述氧气进行等离子体激发处理，得到氢氧等离子体；根据所述氢氧等离子体对所述待刻蚀金刚石的生长面进行生长面刻蚀处理，以完成所述待刻蚀金刚石的生长面杂质去除；当生长面刻蚀处理完成且接收到第二刻蚀指令时，则根据所述第二刻蚀指令获取氢等离子体，并根据所述氢等离子体对所述待刻蚀金刚石的背面进行背面刻蚀处理，以完成所述待刻蚀金刚石的背面杂质去除。
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权利要求：
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