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申请/专利权人：京东方科技集团股份有限公司
摘要：本公开提供一种射线探测器及制备方法、电子设备，属于半导体技术领域，可解决制备成本高的问题。本公开射线探测器制备方法，其包括：在衬底的第一表面制备缓冲层；其中，衬底的第一表面包括第一区域和第二区域；在缓冲层背离衬底的表面制备共享层；对第一区域对应的共享层进行处理，获得薄膜晶体管的有源层；对第二区域对应的共享层进行处理，获得光电二极管的吸收层。
主权项：一种射线探测器制备方法，其包括：在衬底的第一表面制备缓冲层；其中，所述衬底的第一表面包括第一区域和第二区域；在所述缓冲层背离所述衬底的表面制备共享层；对所述第一区域对应的所述共享层进行处理，获得薄膜晶体管的有源层；对所述第二区域对应的所述共享层进行处理，获得光电二极管的吸收层。
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百度查询： 京东方科技集团股份有限公司 射线探测器及制备方法、电子设备
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