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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供一种存储器及其制造方法、读写方法，存储器包括：晶体管，包括栅极及沟道层，沟道层包括沿第一方向相对设置的第一表面及第二表面，栅极设置在沟道层的第一表面，第一方向为垂直存储器表面的方向；电荷捕获层，设置在沟道层的第二表面，以在晶体管导通时捕获并存储电荷。本公开实施例提供的存储器在沟道层的第二表面设置电荷捕获层，电荷捕获层作为电子陷阱electrontrap，在晶体管导通时，电荷捕获层会捕获电荷，实现电荷的存储，进而不需要电容器，实现IT0C的存储器结构，且不会存在电容器带来的大功耗及大面积，大大减小了存储器的尺寸及功耗，且制造工艺简单，便于推广应用。
主权项：1.一种存储器，其特征在于，包括：晶体管，包括栅极及沟道层，所述沟道层包括沿第一方向相对设置的第一表面及第二表面，所述栅极设置在所述沟道层的第一表面，所述第一方向为垂直所述存储器表面的方向；电荷捕获层，设置在所述沟道层的第二表面，以在所述晶体管导通时捕获并存储电荷。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 存储器及其制造方法、读写方法
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