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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件，包括具有彼此相邻的第一物理层区域和第二物理层区域的第一管芯、在第一管芯的下表面上的连接焊盘和连接线、在第一管芯上具有第一后布线的后布线层、以及穿透第一管芯的贯穿硅通路，贯穿硅通路包括第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路。连接焊盘包括分别与第一物理层区域和第二物理层区域电连接的第一连接焊盘和第二连接焊盘，以及分别与第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路电连接的第一焊盘和第二焊盘。第一后布线与第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路电连接。连接线与第一连接焊盘和第一焊盘电连接。
主权项：1.一种半导体器件，包括：第一管芯，包括彼此相邻的第一物理层区域和第二物理层区域；在所述第一管芯的下表面上的连接焊盘；在所述第一管芯的所述下表面上的连接线；在所述第一管芯上的后布线层，所述后布线层包括第一后布线；以及配置成穿透所述第一管芯的贯穿硅通路，所述贯穿硅通路包括第一贯穿硅通路和第二贯穿硅通路，所述连接焊盘具有与所述第一物理层区域电连接的第一连接焊盘、与所述第二物理层区域电连接的第二连接焊盘、与所述第一贯穿硅通路电连接的第一焊盘、与所述第二贯穿硅通路电连接的第二焊盘，所述第一后布线与所述第一贯穿硅通路和所述第二贯穿硅通路电连接，所述连接线与所述第一连接焊盘和所述第一焊盘电连接。
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