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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明涉及一种超结功率器件的制备方法，本发明中该方法采用高k高介电常数介质材料代替普通绝缘体介质材料填充漂移层沟槽，形成N型漂移层、P型氧化镍、高k介质层的超结结构。本发明方法可以提高超结器件的可靠性，且可操作性强、成本低、工艺简单。
主权项：1.一种超结功率器件的制备方法，包括：1在N型衬底的上表面外延生长N型漂移层；2在N型衬底的下表面沉积金属层，形成欧姆接触阴极；3在N型漂移层进行刻蚀形成沟槽；4在沟槽内形成P型氧化镍层；5在沟槽中生长高k介质材料填充沟槽；6形成阳极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种超结功率器件的制备方法
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