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申请/专利权人：湖北大学
摘要：本发明涉及一种氧化镓纳米棒及其制备方法及其在固体氧化物燃料电池中的应用，该氧化镓纳米棒由简单易行的湿化学法制备而成，为β相Ga2O3β‑Ga2O3半导体，具有4.55eV的禁带宽度，在450‑550℃温度区间展现较高的离子电导率。将其作为电解质材料应用于固体氧化物燃料电池可获得良好的低温输出功率和开路电压。与传统的氧化锆基电解质相比，该氧化镓纳米棒具有更优异的低温离子电导率，在固体氧化物燃料电池中有重要的应用前景。
主权项：1.一种氧化镓纳米棒的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1向Ga3+溶液中缓慢滴加碱性溶液，至溶液pH值达到11±1，生成沉淀物前驱体；2将所得沉淀物前驱体烘干后研磨，随后将物料于马弗炉中烧结一段时间，将所得物料研磨，即得到氧化镓纳米棒材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北大学 一种氧化镓纳米棒及其制备方法及其在固体氧化物燃料电池中的应用
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