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申请/专利权人：中南大学
摘要：本发明提供了一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件，包括上电极和下电极，还包括位于上电极和下电极之间的异质结构，所述异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体层和绝缘体层。本发明解决了现有技术存在记忆器件无法同时实现忆阻忆容的问题，构建M‑I‑S金属‑绝缘体‑半导体异质结构器件，利用强电场的激发来实现对势垒区的调制，进而可实现对电阻电容的调控。从而实现电阻电容的记忆行为。
主权项：1.一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件，其特征在于，包括上电极和下电极，还包括位于上电极和下电极之间的异质结构，所述异质结构由上自下依次为n型金属氧化物半导体层和绝缘体层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中南大学 一种兼具忆阻忆容特性的记忆器件及其制备方法
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