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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本发明提供了一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，包括：在碳化硅衬底外延生长形成第一漂移层；在第一漂移层上进行离子注入，形成均流层以及第二漂移层；在第二漂移层上部形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成阱区；之后形成N型源区及P型源区；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积形成栅介质层；重新形成阻挡层，刻蚀，淀积金属，形成栅极金属层；之后形成源极金属层；重新形成阻挡层，将器件进行翻转，在碳化硅衬底重新形成阻挡区，刻蚀阻挡区形成通孔，并对碳化硅衬底进行刻蚀，淀积金属，形成金属填充结构层；去除阻挡区，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，去除阻挡层，完成制备，实现高耐压，同时降低器件的导通电阻。
主权项：1.一种低导通电阻平面栅碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、在碳化硅衬底外延生长形成第一漂移层；步骤2、在第一漂移层上进行离子注入，形成均流层以及第二漂移层；步骤3、在第二漂移层上部形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对第二漂移层进行离子注入，形成阱区；步骤4、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对阱区进行离子注入，形成N型源区；步骤5、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，对阱区进行离子注入，形成P型源区；步骤6、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积形成栅介质层；步骤7、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成栅极金属层；步骤8、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，淀积金属，形成源极金属层；步骤9、去除原阻挡层，重新形成阻挡层，将器件进行翻转，在碳化硅衬底重新形成阻挡区，刻蚀阻挡区形成通孔，并对碳化硅衬底进行刻蚀，淀积金属，形成金属填充结构层；步骤10、去除阻挡区，在碳化硅衬底上淀积金属，形成漏极金属层，去除阻挡层，完成制备。
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