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申请/专利权人：无锡尚积半导体科技有限公司
摘要：本申请公开了一种晶圆镀膜、刻蚀一体腔,包括反应腔、载台、线圈、靶材和遮板，载台设于反应腔内、用于承载晶圆，线圈设于反应腔内、并处于载台上方，靶材设于反应腔内、并处于线圈上方，遮板具有遮挡状态和开放状态；本申请提供的晶圆镀膜、刻蚀一体腔通过层次布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性，还能够降低使用成本；通过设置具有遮挡状态和开放状态的遮板，进行晶圆刻蚀的过程中，利用遮板保护靶材、能够避免靶材因为暴露在反应区域内而沾附到污染物，从而保证两种工艺的可靠性。
主权项：1.一种晶圆镀膜、刻蚀一体腔,其特征在于，包括：反应腔（1），用于为晶圆提供作业空间；载台（2），设于所述反应腔（1）内，用于承载晶圆；线圈（3），设于所述反应腔（1）内、并处于所述载台（2）上方；靶材（4），设于所述反应腔（1）内、并处于所述线圈（3）上方；遮板（11），所述遮板（11）具有遮挡状态和开放状态；所述遮板（11）处于所述遮挡状态时，所述遮板（11）遮挡所述靶材（4）；所述遮板（11）处于所述开放状态时，所述遮板（11）远离所述靶材（4）；进行晶圆刻蚀时，使得所述遮板（11）处于所述遮挡状态，所述线圈（3）通电、电离反应气体、形成等离子体，等离子体向下轰击、对晶圆表面进行刻蚀；进行晶圆镀膜时，使得所述遮板（11）处于所述开放状态，所述靶材（4）通电、电离反应气体、形成等离子体，电子向上轰击所述靶材（4）、产生金属原子，金属原子向下沉积、对晶圆表面进行镀膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡尚积半导体科技有限公司 晶圆镀膜、刻蚀一体腔
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