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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开了一种MEMS谐振结构阻尼温度误差校正方法，谐振结构包括两个工作模态，在相同真空度条件下，第一工作模态二阶气体阻尼较小，且工作模态频率与温度具有好的线性对应关系，第二工作模态三阶气体阻尼较大，且Q值易受温度影响。该方法包括激励谐振结构的第一工作模态，拟合第一工作模态频率与温度的关系曲线；激励谐振结构的第二工作模态，拟合第二工作模态Q值与温度的关系曲线；基于第一工作模态频率与温度的关系曲线对第二工作模态Q值进行补偿。本发明应用于硅微传感器领域，将第一工作模态充当温度传感器，实现阻尼温度误差校正，不仅无需外加任何温度传感器，而且具有结构简单、体积小、一致性好、成本低等优点。
主权项：1.一种MEMS谐振结构阻尼温度误差校正方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1，在温度区间中选取个第一温度点、、、，其中，，；步骤2，分别在各第一温度点的温度环境下激励MEMS谐振结构的第一工作模态，采集各第一温度点对应的第一工作模态频率，并拟合得到第一工作模态频率与温度的关系曲线；步骤3，在温度区间中选取个第二温度点、、、，其中，，；步骤4，分别在各第二温度点的温度环境下激励MEMS谐振结构的第二工作模态，采集各第二温度点对应的第二工作模态Q值，并拟合得到第二工作模态Q值与温度的关系曲线；步骤5，基于所述关系曲线对所述关系曲线进行温度补偿，完成阻尼温度误差校正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种MEMS谐振结构阻尼温度误差校正方法
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