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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种位准移位器电路的中电压晶体管可包括衬底中的p阱区。此外，中电压晶体管可包括其中包括中电压晶体管的N+源极漏极区的n型轻掺杂源极漏极NLDD区。NLDD区中的轻掺杂使得能够减小临限电压Vt，同时使得能够在N+源极漏极区处进行中电压操作。为了减少因NLDD区中的轻掺杂而导致的中电压晶体管中的电流泄漏的量，可在中电压晶体管的栅极结构之下在NLDD区的一部分之上及或NLDD区的一部分上包括缓冲层。中电压晶体管的NLDD区及热区能够达成中电压晶体管的临限电压，同时维持相同的电流泄漏效能或减少中电压晶体管中的电流泄漏。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一掺杂区，包括第一掺杂剂类型，位于衬底中；第二掺杂区，包括第二掺杂剂类型，位于所述衬底中，且相邻于所述第一掺杂区；第一源极漏极区，包括所述第二掺杂剂类型，位于所述衬底中，且位于所述第一掺杂区上；第二源极漏极区，包括所述第二掺杂剂类型，位于所述衬底中，且位于所述第二掺杂区上；缓冲层，位于所述第二掺杂区的一部分之上；栅极氧化物层，位于所述第一掺杂区的一部分之上，位于所述缓冲层之上，且位于所述第二掺杂区的延伸区之上；以及栅极结构，位于所述栅极氧化物层之上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体装置及其制造方法及位准移位器电路
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