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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本发明提供一种图形化方法及图形化的半导体结构。图形化方法包括：提供一衬底，衬底表面形成有目标膜层；在目标膜层表面依次形成硬掩膜层及图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜对硬掩膜层进行第一道离子注入，以在硬掩膜层中形成改性区，硬掩膜层被图形化的光刻胶层遮挡的部分为非改性区；去除图形化的光刻胶层及硬掩膜层的改性区或非改性区，剩余的硬掩膜层形成图形化的硬掩膜层；以图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀目标膜层，得到图形化的目标膜层。上述技术方案不仅能够通过现有光刻机实现更小尺寸技术节点的图形转移，而且还通过引入两道不同的离子注入工艺，可以进一步提高图形转移的精确性和保型性。
主权项：1.一种膜层图形化方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一衬底，所述衬底表面形成有目标膜层；在所述目标膜层表面依次形成硬掩膜层及图形化的光刻胶层；以所述图形化的光刻胶层为掩膜对所述硬掩膜层进行第一道离子注入，以在所述硬掩膜层中形成改性区，所述硬掩膜层被所述图形化的光刻胶层遮挡的部分为非改性区；去除所述图形化的光刻胶层及所述硬掩膜层的所述改性区或所述非改性区，剩余的所述硬掩膜层形成图形化的硬掩膜层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜刻蚀所述目标膜层，得到图形化的目标膜层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海积塔半导体有限公司 膜层图形化方法及半导体结构
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