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一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器 

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申请/专利权人:浙江大学

摘要:本发明公开了一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器。主要包括形成起偏器的组合波导区和吸收泄露模式的泄露模吸收区。组合波导区依次包含输入条形脊波导、中间脊波导和输出条形脊波导,中间脊波导依次包括输入锥形脊波导、起偏脊波导和输出锥形脊波导。泄露模吸收区包括重掺杂硅吸收区和黑色环氧树脂吸收区,其中重掺杂硅吸收区对称的分布在组合波导区两侧,并在重掺杂硅吸收区外侧设计有布拉格光栅反射区,黑色环氧树脂吸收区则是通过在组合波导区下侧的Si衬底开出沟槽,填充黑色环氧树脂构成。本发明通过设计特定的中间脊波导结构参数在小尺寸SOI平台上实现物理起偏,同时通过泄露模吸收区解决了TM0模式泄露后再耦合入光学系统的问题。本发明减少了泄露模串扰对光学系统的影响,具有低损耗、低泄漏、高偏振消光比的特点,满足光通信、集成光学等领域的实际需求。

主权项:1.一种绝缘体上硅平台的片上低泄漏模起偏器,其特征在于包括硅衬底1、二氧化硅包层和掩埋层2、底部填充沟槽的黑色环氧树脂层吸收区3、硅芯层a;其中硅芯层a包含脊形的组合波导区b、重掺杂硅吸收区4和最外侧的布拉格光栅反射区5;其结构从下到上依次为硅衬底1、二氧化硅掩埋层、硅芯层a和二氧化硅包层。

全文数据:

权利要求:

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