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申请/专利权人：江苏皓兮数智能源技术开发有限公司
摘要：本发明公开了一种异质结电池的制备方法，属于太阳能光伏电池技术领域，本发明中通过激光蚀刻图形化区域绒面平整度高，有利于非晶硅薄膜的沉积均匀性，进而提升半导体硅片在沉积非晶硅薄膜后的钝化效果，同时，激光蚀刻图形化区域平整度高，也有利于透明氧化物导电薄膜沉积的均匀性，提升该区域金属浆料与导电薄膜的接触性能，且激光蚀刻图形化区域平整度高，便于金属化浆料的附着、成型，有更好的栅线高宽比，提供更可靠的焊接性能，激光蚀刻图形化处理区域本身属于金属栅线遮光区域，对绒面无要求，因此并不会带来电池片降低光吸收的负面影响，而绒面平整化对非晶硅薄膜和透明氧化物导电薄膜的成膜均匀性、致密性都有一定的优势。
主权项：1.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗制绒：对半导体硅片进行预清洗，清洗表面杂质与金刚线切割损伤层，且在预清洗后对半导体硅片进行湿法碱制绒，从而在半导体硅片表面形成金字塔绒面结构；S2、激光蚀刻：对制绒后半导体硅片进行激光加工，在半导体硅片表面金属化图形区域分别进行激光蚀刻，得到金属化栅线位置下方的较为平整的绒面结构；S3、二次清洗：对激光蚀刻后的半导体硅片进行二次清洗，使用酸性溶液对半导体硅片表面进行漂洗，其目的在于对激光蚀刻位置氧化副产物残留杂质进行清洗，并修饰激光蚀刻位置表面形貌；S4、非晶硅薄膜沉积：在半导体硅片表面依次进行本征非晶硅薄膜和掺杂非晶硅薄膜的沉积；S5、透明氧化物导电薄膜沉积：在沉积的掺杂非晶硅薄膜表面进行沉积透明导电膜层，从而通过该膜层用于导电、减反射和保护非晶硅薄膜的作用；S6、金属化电极制备：在透明氧化物导电薄膜上进行金属化电极制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏皓兮数智能源技术开发有限公司 一种异质结电池的制备方法
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