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进气机构及薄膜沉积腔体 

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申请/专利权人:江苏首芯半导体科技有限公司

摘要:本申请实施例涉及半导体设备领域,提供一种进气机构及薄膜沉积腔体。进气机构包括:进气口;具有空腔的气体分配结构,进气口与空腔连通;位于空腔内且沿竖直方向排布的第一分配板以及第二分配板;其中,第一分配板与第二分配板中的一者为缓冲板,缓冲板适于提高经由缓冲板扩散至第一子腔室的气体的分布样式,且还适于改变经由缓冲板传输至第一子腔室的气体流速;第一分配板与第二分配板中的另一者为调节板,调节板包括第一区和第二区,第二区位于调节板的边缘,调节板适于,使得在单位时间内,经由第一区传输至第二子腔室的气体压力大于经由第二区传输至第二子腔室的气体压力。

主权项:1.一种进气机构,用于向薄膜沉积腔体的腔室内提供气体,其特征在于,包括:进气口;气体分配结构,所述气体分配结构具有空腔,所述进气口与所述空腔连通;第一分配板以及第二分配板,所述第一分配板与所述第二分配板位于所述空腔内且沿竖直方向排布,以将所述空腔分割成沿所述竖直方向排布的第一腔室、第二腔室以及第三腔室,所述第一腔室与所述进气口连通;其中,所述第一分配板与所述第二分配板中的一者为缓冲板,所述缓冲板适于提高经由所述缓冲板扩散至第一子腔室的气体的分布样式,且还适于改变经由所述缓冲板传输至第一子腔室的气体流速;所述第一分配板与所述第二分配板中的另一者为调节板,所述调节板包括第一区和第二区,所述第二区位于所述调节板的边缘,所述调节板适于,使得在单位时间内,经由所述第一区传输至第二子腔室的气体压力大于经由所述第二区传输至所述第二子腔室的气体压力;其中,所述第一子腔室为所述第二腔室和所述第三腔室中的一者,所述第二子腔室为所述第二腔室和所述第三腔室中的另一者。

全文数据:

权利要求:

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