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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：在某些方面，一种存储器装置包括存储单元的阵列和耦合到存储单元的阵列的外围电路。存储单元中的至少一个被设置为2N个电平中的与一个N比特数据相对应的一个电平，其中N是大于1的整数。外围电路被配置为将第一编程电压施加到存储单元的选定行，在施加第一编程电压之后在2N个电平中的最后一个电平处执行存储单元的选定行的第一验证，基于第一验证的结果和第一验证失败计数VFC标准而执行第一VFC，在执行第一VFC之后将大于第一编程电压的第二编程电压施加到存储单元的选定行，并且在施加第二编程电压的时段内基于第一验证的结果和不同于第一VFC标准的第二VFC标准而执行第二VFC。
主权项：1.一种存储器装置，包括：存储单元的阵列，所述存储单元中的至少一个存储单元被设置为2N个电平中的与一个N比特数据相对应的一个电平，其中，N是大于1的整数；以及外围电路，所述外围电路耦合到所述存储单元的阵列并且被配置为：将第一编程电压施加到所述存储单元的选定行；在施加所述第一编程电压之后在所述2N个电平中的最后一个电平处执行所述存储单元的所述选定行的第一验证；基于所述第一验证的结果和第一验证失败计数VFC标准而执行第一VFC；在执行所述第一VFC之后将大于所述第一编程电压的第二编程电压施加到所述存储单元的所述选定行；并且在施加所述第二编程电压的时段内基于所述第一验证的结果和不同于所述第一VFC标准的第二VFC标准而执行第二VFC。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 存储器装置及其编程操作
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