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一种闪存晶圆裸片测试工艺及方法 

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申请/专利权人:广东长兴半导体科技有限公司

摘要:本发明属闪存半导体技术领域,具体为一种闪存晶圆裸片测试工艺及方法,步骤包括:膜转膜,将有缺角但有测试点的晶圆裸片转移至新膜,设备生成对应位置状态图,将测试点残缺的晶圆裸片,留在原始蓝膜上;晶圆裸片转膜完成后依照原膜进行入库,膜上的每个晶圆位置状态图存至文件服务器;再对膜片上的晶圆裸片进行测试分为等级,膜上的每个晶圆裸片生成对应位置状态图;晶圆裸片依照膜进行入库,位置状态图存至文件服务器;蓝膜封装入库。本工艺自动化程度高,无需人工接触晶圆,克服脏污与破片问题;膜片有多种不同容量产品,设备导出对应晶圆裸片,符合原厂蓝膜包装方式;晶圆裸片在蓝膜之间转换,最终以膜转入封装工艺,封装转线。

主权项:1.一种闪存晶圆裸片测试工艺,其特征在于,包括以下步骤:S10设备进行膜转膜:将完整的晶圆裸片10与缺角20但测试点30完好的晶圆裸片转移至新膜40,并进行有序排列,设备生成对应位置状态图电子档案,将测试点残缺的晶圆裸片50,留在蓝膜60上;S20一次入库:晶圆裸片以排列完整的膜进行入库,位置状态图存至文件服务器70;S30对膜片进行测试:测试完成后,分为各种等级,等级数据生成对应位置状态图电子档案80;S40二次入库:晶圆裸片以排列完整的膜进行入库,位置状态图存至文件服务器70;S50蓝膜封装:设备直接使用膜片生产;S60成品入库:成品80封装完成入库。

全文数据:

权利要求:

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